ストレージチップ、強気の反発！ 3月10日、韓国証券市場では、ストレージチップ大手のSKハイニックスとサムスン電子の株価がともに大幅上昇した。取引中、SKハイニックスは一時13%以上の上昇を記録し、サムスン電子も一時10%以上の上昇となった。 この日、A株のストレージチップ関連株も一斉に上昇し、セクター指数は2%以上の上昇を見せた。正午の終値時点で、聯瑞新材は17%以上の上昇、ポコ新材や科翔股份も10%以上の上昇を記録した。 ニュースの面から見ると、世界のストレージチップ産業チェーンには好材料が次々と伝わっている。第一に、SKハイニックスとサムスン電子がNVIDIAの新世代AIアクセラレータVera Rubinのサプライヤーに選ばれ、今月から出荷開始予定であること。第二に、SKハイニックスは本日、AI機能を備えたモバイル端末向けに特化した先進的なLPDDR6ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）を開発したと発表した。第三に、今週月曜日、NVIDIAのCEO黄仁勲はDRAMメーカーに対し、増産しても「買いたいだけ買えばいい」と呼びかけた。**ストレージチップ関連株、大幅上昇** 数日間の調整を経て、世界のストレージチップ関連株が力強く復活した。今日の取引中、SKハイニックスは一時13%以上、サムスン電子は10%以上の上昇を見せた。前夜の米国株市場では、ストレージ関連株も一斉に大きく上昇し、サンディスクは11%以上、ウェスターデータは約7%、マイクロンテクノロジーは5%以上の上昇となった。 A株のストレージチップセクターも本日大きく上昇し、正午の時点で指数は2%以上の上昇、聯瑞新材は17.65%、ポコ新材は14%以上、科翔股份は10%以上の上昇を記録した。ジュ光科技は9%以上、壱石通は8%以上、偉測科技や天馬新材も7%以上の上昇、太極実業、南亞新材、コマ科技なども続伸した。 アナリストは、国際的な原油価格の調整により、市場のインフレ懸念が和らぎ、成長株の動きに好影響を与えていると指摘している。また、ストレージチップ業界から多くの好材料が伝わっており、セクターのムードを大きく押し上げている。 韓国メディアの報道によると、サムスン電子とSKハイニックスはともに、NVIDIAの新世代AIアクセラレータVera Rubinのサプライヤーリストに入った。HBM4はDRAMウエハから最終パッケージまでに6か月以上かかるため、両社は今月中に生産を開始する見込みだ。 報道によると、Vera Rubinに使用されるHBM4の配分量や価格は未定だが、情報筋は、HBM3Eを含め、SKハイニックスは2026年のNVIDIAのHBM総供給の半数以上を占めると予測している。一方、サムスン電子はVera Rubin専用のHBM4供給を主導する見込みだ。TrendForceの予測では、SKハイニックスは引き続き世界のHBMビット生産量をリードし、市場シェアは50%（2025年の59%より低下）、サムスン電子は20%から28%に上昇するとされている。 注目すべきは、NVIDIAがVera Rubin用HBM4のデータ伝送速度を10Gb/s超に要求している点で、これはJEDEC業界標準の8Gb/sを大きく上回る。報道によると、サムスン電子はすでにNVIDIAの10Gb/sと11Gb/sの認証試験に合格しており、SKハイニックスは11Gb/sの試験合格に向けて製品を最適化中だ。 さらに、今週火曜日、SKハイニックスは、AI機能を持つモバイル端末向けに特化した先進的なLPDDR6ダイナミックRAMを開発したと発表した。 SKハイニックスは、第六世代10ナノメートル工芸技術を用いた16Gb LPDDR6 DRAMが2026年1月のCES 2026で展示された後、検証を完了したと述べている。同社は声明で、「今年上半期に量産準備を完了し、下半期から供給を開始して、AIアプリケーション向けに最適化した従来のDRAM製品ラインを拡大する」としている。 この新製品は、エンド端末のAI機能を搭載したスマートフォンやタブレットなどのモバイル端末に採用される予定だ。従来品と比べて、データ処理速度は33%向上しているほか、より長いバッテリー持続時間や多タスク処理の最適化も実現する。**産業チェーンの価格上昇噂、絶えず** 环球网の韓国メディアSedailyの報道によると、最近、世界のNANDフラッシュメモリ市場は継続的な価格上昇局面に入り、シェアトップのサムスン電子は2025年第2四半期にコアNAND製品の供給価格を再び引き上げる計画を発表した。上げ幅は今年第1四半期と同程度と見られる。 報道によると、サムスン電子は今年第1四半期にNANDフラッシュの価格を前四半期比約100%引き上げた。第2四半期も同じ上昇幅が続けば、昨年末比で約200%の値上がりとなる。業界関係者は、最終的な取引価格には若干の差異があるものの、今回の全体的な値上げ幅は大きく変動しないと見ている。 サムスンだけでなく、NANDフラッシュ業界全体の値上げ期待も高まっている。半導体業界の高官は、現在のストレージチップメーカーの交渉力は過去最高水準に達しており、下流の需要企業はほとんど受動的に価格を受け入れていると指摘。SKハイニックスやKioxiaなど主要メーカーもさらなるNAND価格引き上げを準備中だ。市場データもこの傾向を裏付けており、TrendForceのデータによると、先月のNAND汎用128Gb MLCフラッシュメモリの平均取引価格は12.67ドルに上昇し、前月比33.9%、前年比452.3%の上昇となった。 このNANDフラッシュの価格高騰の背景には、複数の市場要因が作用している。一つは、AI産業の発展が重要な局面に入り、AI技術がデータ訓練段階から推論段階へと進展し、大規模データストレージの需要が増大していること。これにより、NANDストレージの産業価値がさらに高まっている。また、各大手テクノロジー企業がAIデータセンターへの投資を拡大し、ストレージ装置の需要が急増、NANDフラッシュの価格上昇を牽引している。 一方、市場供給側の引き締まりも価格上昇を加速させている。現在、NAND市場のトップ2であるサムスン電子とSKハイニックスは、HBMなど高付加価値半導体製品への生産シフトを進めており、NANDフラッシュの生産量を大幅に縮小している。需給の逼迫により、短期的にはNAND価格の上昇傾向は逆転しにくく、しばらく続く見込みだ。 今週月曜日、NVIDIAのCEO黄仁勲は、世界のストレージチップメーカーに対し、「増産しても買いたいだけ買えばいい」と呼びかけた。 同日、黄仁勲はモルガン・スタンレーのテクノロジー会議で、「チップ供給不足はNVIDIAにとって非常に良いニュースだ」と述べ、資源の制約が顧客に最も高性能なソリューションを選ばせると指摘した。DRAMメーカーに対しては、「増産すれば、その分だけ我々（NVIDIA）が使う」と語った。
取引中に暴力的に急騰！好材料が突如半導体を襲う！
ストレージチップ、強気の反発！
3月10日、韓国証券市場では、ストレージチップ大手のSKハイニックスとサムスン電子の株価がともに大幅上昇した。取引中、SKハイニックスは一時13%以上の上昇を記録し、サムスン電子も一時10%以上の上昇となった。
この日、A株のストレージチップ関連株も一斉に上昇し、セクター指数は2%以上の上昇を見せた。正午の終値時点で、聯瑞新材は17%以上の上昇、ポコ新材や科翔股份も10%以上の上昇を記録した。
ニュースの面から見ると、世界のストレージチップ産業チェーンには好材料が次々と伝わっている。第一に、SKハイニックスとサムスン電子がNVIDIAの新世代AIアクセラレータVera Rubinのサプライヤーに選ばれ、今月から出荷開始予定であること。第二に、SKハイニックスは本日、AI機能を備えたモバイル端末向けに特化した先進的なLPDDR6ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）を開発したと発表した。第三に、今週月曜日、NVIDIAのCEO黄仁勲はDRAMメーカーに対し、増産しても「買いたいだけ買えばいい」と呼びかけた。
ストレージチップ関連株、大幅上昇
数日間の調整を経て、世界のストレージチップ関連株が力強く復活した。今日の取引中、SKハイニックスは一時13%以上、サムスン電子は10%以上の上昇を見せた。前夜の米国株市場では、ストレージ関連株も一斉に大きく上昇し、サンディスクは11%以上、ウェスターデータは約7%、マイクロンテクノロジーは5%以上の上昇となった。
A株のストレージチップセクターも本日大きく上昇し、正午の時点で指数は2%以上の上昇、聯瑞新材は17.65%、ポコ新材は14%以上、科翔股份は10%以上の上昇を記録した。ジュ光科技は9%以上、壱石通は8%以上、偉測科技や天馬新材も7%以上の上昇、太極実業、南亞新材、コマ科技なども続伸した。
アナリストは、国際的な原油価格の調整により、市場のインフレ懸念が和らぎ、成長株の動きに好影響を与えていると指摘している。また、ストレージチップ業界から多くの好材料が伝わっており、セクターのムードを大きく押し上げている。
韓国メディアの報道によると、サムスン電子とSKハイニックスはともに、NVIDIAの新世代AIアクセラレータVera Rubinのサプライヤーリストに入った。HBM4はDRAMウエハから最終パッケージまでに6か月以上かかるため、両社は今月中に生産を開始する見込みだ。
報道によると、Vera Rubinに使用されるHBM4の配分量や価格は未定だが、情報筋は、HBM3Eを含め、SKハイニックスは2026年のNVIDIAのHBM総供給の半数以上を占めると予測している。一方、サムスン電子はVera Rubin専用のHBM4供給を主導する見込みだ。TrendForceの予測では、SKハイニックスは引き続き世界のHBMビット生産量をリードし、市場シェアは50%（2025年の59%より低下）、サムスン電子は20%から28%に上昇するとされている。
注目すべきは、NVIDIAがVera Rubin用HBM4のデータ伝送速度を10Gb/s超に要求している点で、これはJEDEC業界標準の8Gb/sを大きく上回る。報道によると、サムスン電子はすでにNVIDIAの10Gb/sと11Gb/sの認証試験に合格しており、SKハイニックスは11Gb/sの試験合格に向けて製品を最適化中だ。
さらに、今週火曜日、SKハイニックスは、AI機能を持つモバイル端末向けに特化した先進的なLPDDR6ダイナミックRAMを開発したと発表した。
SKハイニックスは、第六世代10ナノメートル工芸技術を用いた16Gb LPDDR6 DRAMが2026年1月のCES 2026で展示された後、検証を完了したと述べている。同社は声明で、「今年上半期に量産準備を完了し、下半期から供給を開始して、AIアプリケーション向けに最適化した従来のDRAM製品ラインを拡大する」としている。
この新製品は、エンド端末のAI機能を搭載したスマートフォンやタブレットなどのモバイル端末に採用される予定だ。従来品と比べて、データ処理速度は33%向上しているほか、より長いバッテリー持続時間や多タスク処理の最適化も実現する。
産業チェーンの価格上昇噂、絶えず
环球网の韓国メディアSedailyの報道によると、最近、世界のNANDフラッシュメモリ市場は継続的な価格上昇局面に入り、シェアトップのサムスン電子は2025年第2四半期にコアNAND製品の供給価格を再び引き上げる計画を発表した。上げ幅は今年第1四半期と同程度と見られる。
報道によると、サムスン電子は今年第1四半期にNANDフラッシュの価格を前四半期比約100%引き上げた。第2四半期も同じ上昇幅が続けば、昨年末比で約200%の値上がりとなる。業界関係者は、最終的な取引価格には若干の差異があるものの、今回の全体的な値上げ幅は大きく変動しないと見ている。
サムスンだけでなく、NANDフラッシュ業界全体の値上げ期待も高まっている。半導体業界の高官は、現在のストレージチップメーカーの交渉力は過去最高水準に達しており、下流の需要企業はほとんど受動的に価格を受け入れていると指摘。SKハイニックスやKioxiaなど主要メーカーもさらなるNAND価格引き上げを準備中だ。市場データもこの傾向を裏付けており、TrendForceのデータによると、先月のNAND汎用128Gb MLCフラッシュメモリの平均取引価格は12.67ドルに上昇し、前月比33.9%、前年比452.3%の上昇となった。
このNANDフラッシュの価格高騰の背景には、複数の市場要因が作用している。一つは、AI産業の発展が重要な局面に入り、AI技術がデータ訓練段階から推論段階へと進展し、大規模データストレージの需要が増大していること。これにより、NANDストレージの産業価値がさらに高まっている。また、各大手テクノロジー企業がAIデータセンターへの投資を拡大し、ストレージ装置の需要が急増、NANDフラッシュの価格上昇を牽引している。
一方、市場供給側の引き締まりも価格上昇を加速させている。現在、NAND市場のトップ2であるサムスン電子とSKハイニックスは、HBMなど高付加価値半導体製品への生産シフトを進めており、NANDフラッシュの生産量を大幅に縮小している。需給の逼迫により、短期的にはNAND価格の上昇傾向は逆転しにくく、しばらく続く見込みだ。
今週月曜日、NVIDIAのCEO黄仁勲は、世界のストレージチップメーカーに対し、「増産しても買いたいだけ買えばいい」と呼びかけた。
同日、黄仁勲はモルガン・スタンレーのテクノロジー会議で、「チップ供給不足はNVIDIAにとって非常に良いニュースだ」と述べ、資源の制約が顧客に最も高性能なソリューションを選ばせると指摘した。DRAMメーカーに対しては、「増産すれば、その分だけ我々（NVIDIA）が使う」と語った。