記憶體漲價潮背後的真相：南亞科為何能趁勢突破190元？

股價漲勢背後：HBM搶產能引發的DDR4大缺口

美光前不久發佈樂觀前景，瞬間點燃了整個記憶體板塊的做多情緒。南亞科（2408）隨之挾著買盤湧進，盤中最高觸及190元創新高，最終收在189元，單日勁揚逾12元，漲幅達7.08%，成交量也放大超11.7萬張。

這波漲勢絕非虛火。市場真正的驅動力來自於一個「逼不得已」的產能轉移——全球三大記憶體廠商為了搶佔AI伺服器的高頻寬記憶體（HBM）風口，正在以前所未有的速度將DDR4產能挪作他用。長鑫存儲傳出將2026年DDR4月產能腰斬至1萬片，美光旗下Crucial品牌也宣布2026年初將停產部分DDR4規格。短短幾則新聞，卻徹底改寫了整個市場的供給側面。

南亞科為何能吃到這波紅利？1B製程的良率優勢

在大廠們集體轉向HBM的同時，南亞科反而成了「漁翁得利」的受益者。其自主研發的10奈米級1B製程已進入量產收割期，良率與效率明顯領先同業。根據數據，1B製程產品已佔2025年位元產出的30%以上，其中16Gb DDR5 5600產品已穩定交貨，更高速的6400 MT/s版本也進入驗證階段。

關鍵在於ASP（平均銷售單價）的質變。DDR5產品本身就比DDR4貴得多，當南亞科的1B製程16Gb DDR4出貨比重跨越10%的營收門檻後，整個產品結構升級帶來的毛利率修復就直接體現在財報上。法人估算，這季ASP季增率有望從原先預期的35%上調至55%，這種漲幅在過去十年記憶體週期中根本未曾出現過。

漲到230元有沒有可能？從目標價看南亞科的故事

市場對南亞科的樂觀度已經寫進研究報告裡——大型投顧機構將目標價從160元直接拉升至230元，關鍵假設是2026年毛利率將挑戰64.5%的歷史新高，屆時單年EPS預期爆發性增長至23.25元，遠高於原先估算的14元。

從技術面來看，今日的實體長陽線站穩所有均線，RSI與KD指標也呈現多頭排列。只要後續能守穩缺口，股價仍有向上墊高的結構動力。但投資人也別忽視風險——近期整個記憶體族群集體噴發，威剛等模組廠紛紛漲停，資金集中度過高。加上新年假期臨近，市場量能面臨季節性調整壓力，短期若遇獲利回吐，股價震盪勢必加劇。

後市怎麼看？關鍵在2026年初的價格動向

長期而言，南亞科已從傳統景氣循環股轉向AI基礎設施紅利股。未來股價的關鍵觀察點就一個——2026年初DRAM現貨與合約價是否繼續上行。只要這個趨勢不改，南亞科的長線多頭格局才真正要開啟。換句話說，這波從缺貨潮帶起的漲勢，才只是開場，後面的戲還長著呢。